ЗАВАНТАЖИТИ БЕЗКОШТОВНО
БЕЗ РЕЄСТРАЦІЇ 2.7. АНАЛІЗ № 7. ЗАПУСК СХЕМИ УПРАВЛІННЯ ДЖЕРЕЛ ЖИВЛЕННЯ
Мережевий шнур телевізора підключений до розетки, штекер антени встановлений в антенне гніздо, вимикач харчування мережі натиснуто. Світлодіод включення дежур-
ного режиму погашений; Таку ситуацію можна порівняти з несправністю № б. Постійна напруга 310 В на виводах конденсатора С, є. напряже-
ня на конденсаторах, підключених до вторинної ланцюга, рівні 0 (рис. 2.9).
2.7.1. АНАЛІЗ НЕСПРАВНОСТІ
Джерело живлення виконаний на інший інтегральної мікросхеми. Фрагмент його принципової схеми наведений на рис. 2.12. Первинні ланцюга джерела пита
ня схожі на ті, що були вивчені в попередніх аналізах. Даний імпульсний джерело живлення використовує керуючу мікро
схему типу ТDA4605, яка контролює напруги харчування. Функціонування TDA4605 дозволяється, коли напруга на виводі 3 перевищує 1,1 В.
На практиці опір R1 становить близько 680 кОм, в той час як опір R2 становить 3,3 ком, що при постійній напрузі 310 В дає
напруга на виводі 3 порядку Uвив3 = 310xR2 / (R1 + R3), тобто Uвив3 = 1,5 В
2.7.2. УСУНЕННЯ НЕСПРАВНОСТІ
Умова підтвердження функціонування мікросхеми TDA4605 не виконується, якщо напруга на виводі 3 падає нижче 1,1 В, що може статися
при обриві резистора R1. Вимірювання напруги на виводі 3позволяет виявити дефект. Необхідно замінити резистор R1 і перевірити наявність струму в ланцюзі.

2.8. АНАЛІЗ № 8. ДЕФЕКТ
У СХЕМІ УПРАВЛІННЯ ДЖЕРЕЛОМ ХАРЧУВАННЯ

Мережевий шнур телевізора підключений до розетки, штекер антени встановлений в антенне гніздо. При замиканні мережевого вимикача нічого не відбувається,
Цю ситуацію можна порівняти з розглянутої в аналізі № 6. На висновках конденсатора C1 (рис. 2.13) постійна напруга 310 В є,
але запобіжник Т 1,25А (у що наводиться прикладі), послідовно включений з первинної обмоткою трансформатора харчування, має обрив. напруги
на обкладинках конденсаторів, підключених до вторинної обмотці трансформатора харчування, рівні 0 (рис. 2.9). Наразі перевіряється, чи є коротке замикання
у вторинних ланцюгах.
Розрив запобіжника викликаний перевищенням максимально допустимого струму в первинної ланцюга. Крім того, перевірка первинної ланцюга показує, що транзистор
Т (потужний польовий МОП транзистор) має коротке замикання.

2.8.1. АНАЛІЗ НЕСПРАВНОСТІ

Якщо ніякого короткого замикання немає у вторинних колах трансформатора харчування не було виявлено, то причина несправності криється в самому транзисторі
або в одному з елементів первинної ланцюга. Другий варіант вважається більш складним.

перша гіпотеза

Несправність ключового транзістопя Т може виникнути в результаті перегріву, викликаних перевищенням номінального значення струму в первинному ланцюзі трансформатора.
Струм, що протікає в ній тим вище, чим більше тривалість періоду насичення транзистора Т.
Така ситуація може виникнути при включенні телевізора за допомогою вимикача живлення, якщо ланцюг м'якого запуску не працює. дійсно,
при включенні телевізора за допомогою вимикача ємності різних первинних і вторинних ланцюгів розряджені. Відбувається значне кидок струму, поки
не досягнуті значення номінальних робочих напруг. Тривалість режиму насичення ключового транзистора Т при цьому максимальна. Для безпечної робо
ти транзистора необхідно обмежити цю фазу (2-я фаза - накопичення енергії на первинному ланцюзі джерела живлення з однотактних зворотним преобразовате-
лем) У розглянутому прикладі для цієї мети призначений конденсатор С5 (рис. 2.13). з'єднаний з висновком 7 мікросхеми TDA4605. Якщо цей конденса-
тор електролітичний, то його ємність може зменшуватися (конденсатор «висох») і він більш не зможе забезпечувати функції soft start (м'який запуск).
У сталому режимі ланцюг формування первинного струму використовує схему, яка є частиною мікросхеми TDA4605, а також зовнішні елементи:
резистор R4 і конденсатор С4. Ця схема врівноважує максимальну тривалість фази насичення транзистора Т. Попередня зарядка конденсатора C4

виконується через резистор R4 (рис. 2.14) за допомогою згаданої схеми, яка є частиною мікросхеми TDA4605. Нахил кривої зміни напруги на виводі 2 мікросхеми (на виходах C4) залежить від напруги мережі. Осцилограма а відповідає нормальній напрузі мережі (220 В), в той час як на осциллограмме б спостерігається реакція ланцюга генерування при його зниженні. У цьому випадку період насичення транзистора Т збільшується таким чином, що струм, що протікає в первинному колі трансформатора, завжди досягає одного і того ж номінального значення. Якщо через несправність величина опору резистора R4 (рис. 2.13) збільшується, то процес зарядки конденсатора С4 сповільнюється (крива б), і оскільки тривалість насичення транзистора Т збільшується, то струм в первинної ланцюга трансформатора перевищує номінальне значення, що може спровокувати перегрів і руйнування транзистора.

друга гіпотеза

Занадто висока напруга стік / витік може привести до пробою ізоляції і сплаву напівпровідника, з якого складається транзистор. Слід згадати, що в момент замикання транзистора (3-тя фаза циклу імпульсного перетворення) струм, що протікає в первинній обмотці трансформа- тора, має максимальне значення. При цьому накопичена електромагнітна енергія також максимальна. Необхідно її передати у вторинну обмотку (функціонування в режимі однотактного перетворювача зі зворотним включенням діода) при дотриманні деяких запобіжних заходів. Зокрема, для того щоб уникнути виникнення викиду високої напруги на висновках первинної обмотки (явище самоіндукції), необхідно замкнути послед- ню на так зване опір закривання. У наведеному прикладі цей ланцюг утворюється конденсатором С8. Оскільки процес закриття діода може бути не досить швидким, то конденсатор С2 забезпечує замикання первинної обмотки, коли транзистор замкнений. Внаслідок цього збій в ланцюзі закривання і особливо обрив конденсатора С2 призводять до руйнування транзистора.

третя гіпотеза

Накопичення енергії в обмотці трансформатора під впливом напруги живлення вище максимально допустимого значення призводить до збільшення струму в первинній обмотці і, отже, до перегрівання транзистора, яке може закінчитися його руйнуванням. Така ситуація можлива при підвищенні на- напруги U. призначеного для харчування вихідних малих каскадів. Ця напруга прикладається до первинної обмотці рядкового трансформатора. Несправність в ланцюзі стабілізації вихідної напруги джерела живлення (рис. 2.13) може спровокувати збільшення напруги U. Ланцюг вимірю- вання напруги, теоретично пропорційного напрузі Ucтp, будується на основі вторинної обмотки L мережевого трансформатора, підключеного до загального проводу первинної ланцюга. Діод D2 виділяє тільки імпульси позитивної полярності і таким чином дає можливість заряджати конденсатор С6 до на- напруги, пропорційного напрузі Ucтp. Резисторний дільник (R5; R6) дозволяє підлаштувати напруга вимірювання, що підводиться до входу внутрішнього компаратора регулює каскаду мікросхеми TDA4605. Поганий контакт движка підлаштований елемента R6 може стати причиною несправності в ланцюзі стабілізації і, отже, викликати підвищення напруги Uстр Занадто великий струм витоку діода D2 не дозволить заряджати конденсатор C6 до напруги, пропорційного напрузі Ucтр. Тому напруга вимірювання, передане компаратору, який є частиною мікросхеми TDA4605, і цьому випадку буде помилковим, в результаті чого зросте напруга Uстр ..

четверта гіпотеза

Нормальне функціонування МОП транзистора вимагає, щоб при закритому стані постійна напруга на його затворі було б дорівнює 0. У цей час на стоці є повне напруга живлення. Для того щоб транзистор був у стані насичення, необхідно на затворі підтримувати напругу близько 10 В. Ні в якому разі потенціал на затворі не повинен «плавати». Однак саме це може статися, якщо резистор R7. має розрив або в ланцюзі виявлена ​​нека- якісно пайка. В цьому випадку руйнування транзистора настає миттєво ..

2.8.2. УСУНЕННЯ НЕСПРАВНОСТІ

Залежно від того, який випадок розглядається, приступають до заміни одного або декількох дефектних елементів. Запобіжника необхідно забезпе- чити режим тимчасової витримки. Величина останньої залежить від типу шасі, на якому ведеться робота. Перш ніж приступити до заміни потужного МОП транзистора, слід убедіть- ся в тому, що електролітичні конденсатори розряджені, особливо конденсатор С1. МОП транзистор щодо чутливий до електричних розрядів. Ні в якому разі не можна намагатися змушувати функціонувати МОП транзистор з відкритим затвором. Перевірте поведінку ланцюга стабілізації і проведіть підстроювання, що дозволяє відрегулювати напругу Ucтp до значення, встановленого розробником. Примітка. Коли потужний МОП транзистор знаходиться в стані пробою, існує ризик того, що напруга живлення 310 В викличе підвищення напря жения на виводі 5 мікросхеми TDA4605, що призведе до її разрушенію.Наіболее часто використовуються наступні типи мікросхеми TDA4605: TDA4605 і TDA4605 / 3. Існують і інші варіанти, наприклад, TDA4605 / 2 або TDA4605 / 7, не сумісні з зазначеними вище.